包括光电转换与信号电荷的积累、电荷转移和电荷输出三个步骤。
a)光电转换和电荷积累。
当硅晶体受到光照射时,半导体由于光激发,在晶体内部会产生电子-空穴对。由此产生的电子会在电场的吸引下落入势阱内而储存起来,形成电荷包。势阱内储存的电荷的数目与该处所受光照的强弱成正比。
b)电荷转移。
以三相CCD为例,说明电荷转移过程。CCD上的电极每隔三个连在一起,由图3-5FLASH所示的三相时钟脉冲(或称寻址转移信号)驱动。
当t=t1时,V1为高,V2、V3为低,在V1的各电极下形成势阱,在势阱内存储的电荷包与景物光的像素相对应。当t=t2时,V1开始下降,V2变为最高,于是原来存放在V1的各电极下的势阱内的电荷包就会向V2的各电极下的最深势阱转移。到t3时刻,电荷包转移完毕。接着,V2下降,V3为最大,电荷包又从V2电极下的势阱中转移到V3电极下的势阱中,依此类推。 在时钟脉冲的作用下,电荷将不断向右移动,从而完成电荷的转移。由此可见,CCD实质上可等效于一种移位寄存器,在时钟脉冲作用下,以移位寄存器方式工作。
c)电荷的输出
每个象素下面势阱内的电荷包通过转移后,顺序向外电路输出,并转换成信号电流或电压的形式,由外电路放大和处理。常用的电路结构是反偏二极管CCD输出方式。如图3-6所示,
在一个作为负载的电容上可得到相应的离散的负极性脉冲电压,形成负极性图象信号。